消息称三星电子加速平泽 P5 晶圆厂 PH1 DRAM 产线建设，PH2 或生产 NAND

IT之家 9 月 28 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 今日报道，三星电子正在加快平泽 P5 晶圆厂 PH1 阶段 DRAM 内存生产线的建设进度。

报道称，三星电子已在本季度启动 P5 PH1 的洁净室建设，时间早于先前预期。按照这一节奏，半导体制造设备的进场时间预计为 2027 年 7 至 8 月。

不过，消息人士最近透露，三星电子目前要求在明年 5 至 6 月就完成设备导入，甚至希望在 2027 年第一季度就获取设备并暂时存放在其他地方。三星电子对提前投资 P5 项目的意愿非常强烈。

与此同时，三星电子正与合作伙伴讨论将 P5 PH2 打造为尖端 NAND 闪存生产线的方案。由于设备交期大幅延长，三星电子正要求合作伙伴提前准备相关零部件。